越长越大的芬尼尔逐渐露出了自己凶残的本性，小米芯片众神都不敢靠近它，只有最富有勇气的战神提尔敢给它投喂食物，因此芬尼尔也最信任提尔。
重组（c）5bHCl(顶部)和5bHCl·H2O(底部)结构中的杯芳烃分子。团队（c）10单晶X射线结构（d）对10空腔的吸附等温线。
手机（c）吸附25的CO2单晶X射线结构。由于具有一定类型的预制腔，小米芯片一些大环COMs在固态条件下表现出本征微孔隙。重组（b）六方填充纳米管沿c轴延伸结构的视图。
团队（c）在有和不含二氧化碳的16种不同形式之间相互转化的流程图。图十九、手机邻苯三酚[4]芳烃基SOFs（a）18A的单晶X射线结构，显示两个18分子通过两个a分子连接。
小米芯片（d）35a在−78°C的CO2吸附等温线为。
6.2、重组柱芳烃基NACs图二十九、过乙基柱[5]芳烃29晶体（a）29a晶体对具有开门行为的线性烷烃和支链烷烃的吸附示意图。团队（b）ξSOT的厚度依赖性和自旋霍尔电导率σs。
（d）PtTe2/Au/CoTb异质结构的开关相图，手机其中Ic是临界开关电流。在众多新材料中，小米芯片过渡金属二硫化碳（TMD）由于具有可调控的电导率和自旋轨道耦合等优势而备受关注。
（2）基于TMD的SOT器件通常通过物理剥落法制造，重组因此无法扩展到实际应用中。目前，团队PtTe2在金属TMD中具有最高的室温电导率（约3.3×106Sm-1），同时PtTe2被归类为II-型Dirac半金属，可以产生具有自旋动量锁定的拓扑表面状态（TSSs）。
